20 svar
259 visningar
Tandkräm är nöjd med hjälpen
Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 15:06

Hjälp med transistorströmmar

Hej! Jag har en uppgift i Ellära att göra men vet inte riktigt hur jag skall börja. Den har att göra med transistorer och lyder: Betrakta transistorn. Givet Vcc=+10V, Vb=8,2V, R1=560ohm, R2=2,8k och hfe(Beta)=100. Beräkna Ve, Ie och Ib, Ic och Vc.

Mitt problem är att jag vet inte hur kretsen är kopplad i praktiken. T.ex. så ska jag också verifiera svaren i TINA (kretsanalysprogram) men jag e inte säker på var vad skall kopplas till vad för att strömmen ska gå runt... Har allti haft svårt att förstå sånahär "halv-kretsar" var de antar man förstår va de betyder... 

Jag har kommit fram till att Ic=Ie-Ib, Ic=hfe*Ib och Ie=Ib(1+hfe).Hur ska jag börja? Funkar kirchoffs lagar? Hur vet jag voltage droppen över transistorn? Tack!

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 18:13

Man brukar anta att framspänningsfallet VE-VB är runt 0.6V samt att IEIC
Sedan tror jag du fortsätta...

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 18:19 Redigerad: 10 dec 2017 18:20
Affe Jkpg skrev :

Man brukar anta att framspänningsfallet VE-VB är runt 0.6V samt att IEIC
Sedan tror jag du fortsätta...

Tack har nog provat räkna med Veb 0.7 typ men mitt största problem är nog att jag inte vet hur den verkliga kretsen med alla wires ser ut. Ja menar som den ser ut nu så far ju ingen ström för de måste ju gå runt. Kan du förklara hur den borde kopplas om jag kopplar upp den i en kretssimulator??

Ja vill förstå hur kretsen ser ut så jag kan använda kirchoffs lagar på ett korrekt vis.

Tack

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 18:46

Du kan lägga ett motstånd från basen på transistorn till jord.

Storleken på resistorn matchar du mot att VB och IB är kända

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 18:56
Affe Jkpg skrev :

Du kan lägga ett motstånd från basen på transistorn till jord.

Storleken på resistorn matchar du mot att VB och IB är kända

Jag ser att Vb är känd men förstår inte hur jag ska få Ib... Om man tänker som du säger att Ie är ungefär Ic så skulle det ju enligt Ic=Ie-Ib att Ib=0? Och om det är så har ju ett motstånd ingen verkan?

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 19:32

10=560*IC+0.6+8.2IB=IChfe

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 19:54
Affe Jkpg skrev :

10=560*IC+0.6+8.2IB=IChfe

hmm. tack! Detta är då med antagandet att Ie=Ic eller hur? Och du tänker då att om man går ner från Vcc med potential 10V till jorden (med tanken att man har kopplat ihop basen med jorden) ska få 0? Eller hur? Eller e de en loop som jag inte ännu förstår du gör? 

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 20:27

IEIC eftersom hfe är så stor.

Du kan lägga ett motstånd från basen på transistorn till jord...om du behöver något till en "kretssimulator".

RB=VBIB

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 20:41
Affe Jkpg skrev :

IEIC eftersom hfe är så stor.

Du kan lägga ett motstånd från basen på transistorn till jord...om du behöver något till en "kretssimulator".

RB=VBIB

Jo den delen förstod jag nog såklart. Tänkte mera om du kunde berätta om ja tänkte rätt angående din kirchoff där. asså 10=560*IC+0.6+8.2. E de en slinga eller e de bara potentialskillnader som ska bli = 0 när man nått ground?

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 20:58 Redigerad: 10 dec 2017 21:00
Tandkräm skrev :
Affe Jkpg skrev :

IEIC eftersom hfe är så stor.

Du kan lägga ett motstånd från basen på transistorn till jord...om du behöver något till en "kretssimulator".

RB=VBIB

Jo den delen förstod jag nog såklart. Tänkte mera om du kunde berätta om ja tänkte rätt angående din kirchoff där. asså 10=560*IC+0.6+8.2. E de en slinga eller e de bara potentialskillnader som ska bli = 0 när man nått ground?

Jaha...när jag skriver på det sättet så beskriver jag hur 10V genom potential-skillnader (-fall) blir noll (jord).

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 21:00
Affe Jkpg skrev :
Tandkräm skrev :
Affe Jkpg skrev :

IEIC eftersom hfe är så stor.

Du kan lägga ett motstånd från basen på transistorn till jord...om du behöver något till en "kretssimulator".

RB=VBIB

Jo den delen förstod jag nog såklart. Tänkte mera om du kunde berätta om ja tänkte rätt angående din kirchoff där. asså 10=560*IC+0.6+8.2. E de en slinga eller e de bara potentialskillnader som ska bli = 0 när man nått ground?

Jaha...när jag skriver på det sättet så beskriver jag hur 10V genom potential-skillnader (-fall) blir noll (jord).

 

Man kan påstå något om Kirchhoff också, men det är inte lika pedagogiskt.

Tänkte det också..

Provade i TINA-TI som vi ska använda men verkar inte få samma som jag räknat ut... E de fel kopplat? Ända ändringarna ja gjort till PNP transistorn är att jag lagt forward Beta=100 och reverse Beta = 1 (ingen aning om va reverse beta e )

 

Mina svar jag räknat på papper är Ic=Ie=2,1mA, Ib=0,021mA och Rb=3,8K

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 21:10 Redigerad: 10 dec 2017 21:10

VB=8.2V ska ses som ytterligare en spänningskälla och R3 ska ligga parallellt med den

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 21:21

Såhär? Å nu verkar Ie vara någorlunda va ja räknat ut. Men Ib och Ic är inte..

I_R2 borde väl motsvara Ic och I_R2 motsvarar Ie i uppgiften. Enligt va ja sa ovan så är ju då Ie ganska rätt (I_R2) men AM1 (e den på rätt ställe för Ib?) år inte samma och Ic stämmer inte..?

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 21:36

Jag har svårt med din svenska.
Kan du numrera dina frågor t.ex.:

1.  IC är inte lika med IE
2. ,,,

Så svarar jag

1. ICIE

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 21:49
Affe Jkpg skrev :

Jag har svårt med din svenska.
Kan du numrera dina frågor t.ex.:

1.  IC är inte lika med IE
2. ,,,

Så svarar jag

1. ICIE

Förlåt. Ska göra mitt bästa att skriva så bra jag kan.

Och tack för det svaret. De stämmer ju, hur dum ja e.

1. IbAM1(bild) gäller visst? ty IcIe ger ju int exakta svaret som programmet gör?

2. Ser kretsen korrekt kopplad ut?

3. Får jag VE=IE*560Ω och VC=IC*2,8kΩ ?

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 21:54 Redigerad: 10 dec 2017 21:56

R38.2*1002=410kΩ

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 21:57 Redigerad: 10 dec 2017 21:59
Affe Jkpg skrev :

R3=8.2*1002=410kΩ

Sorry men varifrån kom dedär? Du sa ju innan att Rb=Vb/Ib?

Ib hade jag räknat till 0,000021...A och Vb är ju 8,2V. Också, kan du svara på frågorna ja numrerade?

EDIT: Noterade nu jag har fel R3 ändå. Borde vara 382kOhm enligt mina beräkningar. Stämmer fortfarande inte med ditt nya R3 men ja har nog fel.

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 22:11

Nästan...

VE=10-(2*0.56)8.9VVC2*2.85.6V

Affe Jkpg 6630
Postad: 10 dec 2017 22:18
Tandkräm skrev :
Affe Jkpg skrev :

R3=8.2*1002=410kΩ

Sorry men varifrån kom dedär? Du sa ju innan att Rb=Vb/Ib?

Ib hade jag räknat till 0,000021...A och Vb är ju 8,2V. Också, kan du svara på frågorna ja numrerade?

EDIT: Noterade nu jag har fel R3 ändå. Borde vara 382kOhm enligt mina beräkningar. Stämmer fortfarande inte med ditt nya R3 men ja har nog fel.

R3=RB=VBIB=VBIChfe=VB*hfeIC=8.2*1002=410kΩ

Observera sedan hur jag använder "V/mA/kΩ" för att förenkla beräkningarna.

Tandkräm 35 – Fd. Medlem
Postad: 10 dec 2017 22:24

Ok! Tack! Fattar nu tror ja. Får se på de mer imoron då ja e piggare :)

Affe Jkpg 6630
Postad: 11 dec 2017 08:58

Om du vill simulera en mer "verklig" kretslösning, kan du skapa VB=8.2V från spänningsdelning med 10V. Ett pedagogiskt val av resistanser blir då 1.8+8.2kΩ. Strömmen genom dom två resistanserna blir då 10/10=1mA, vilket är mycket större än IB=0.02mA. IB kan då försummas när vi skapar 8.2V.

Svara Avbryt
Close